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三靶磁控濺射的簡介

日期：2025-04-30 22:52
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摘要：
三靶磁控濺射的簡介
　　三靶磁控濺射是一種用于材料科學領域的工藝試驗儀器，于2019年1月1日啟用。
技術指標
　　樣品能加熱到600℃，控制精度不大于±1℃；射頻電源頻率13.56MHZ，功率0-600W可調，功率不穩(wěn)定度≤2W，自動匹配調節(jié)，配備自動匹配器，匹配時間精度不大于5秒。高性能真空系統，極限真空6×10-5Pa；沉積200nm的薄膜。在3英寸平面基底上十字交叉取9個點進行測試。薄膜厚度不均勻性≤±5%，邊緣去除5mm。 
主要功能
　　三靶磁控濺射可使用單/雙/三靶對同一基片進行磁控濺射鍍膜實驗，配備加熱系統可以將抽真空速度加快，本底真空降低；可使用雙/三靶濺射制備摻雜薄膜，較非摻雜薄膜性質變多，性能不同，更利于發(fā)現新功能、高性能薄膜。設備自動化程度較高，開/關機配備一鍵啟動/關閉功能，方便操作。

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